電動(dòng)汽車超快充、數(shù)據(jù)中心電力基礎(chǔ)設(shè)施,將成為碳化硅(Si)的下一輪增長(zhǎng)引擎。安森美(onsemi)高級(jí)技術(shù)營(yíng)銷總監(jiān) Mrinal Das 在今年 “化合物半導(dǎo)體國(guó)際大會(huì)” 上,用一句話概括了 SiC 的下一波重大機(jī)遇:可...
很多人測(cè) MOS 管容易誤判,主要是沒(méi)分清在路測(cè)量和離線測(cè)量,被周邊電阻、電容、二極管干擾,導(dǎo)致誤判良品為壞件、壞件漏檢。下面分兩種場(chǎng)景給標(biāo)準(zhǔn)化判斷方法。離線單獨(dú)測(cè)量(最準(zhǔn)、推薦首選)1)拆下 MOS 管,懸空三個(gè)引腳2...